Construction
結構設計
多數平面磁性耳機在設計上往往面臨幾個先天限制,包括效率偏低、重量較高,以及阻抗過低等問題。在 Solitaire P 的開發之初,T+A 即明確設定目標:徹底突破這些限制。
為此,我們採取全新的設計思維,並投入大量資源於結構研發與材料選擇。整體耳機由多個高精度模組組成,每一個零件皆以極小公差製造(精度達百分之一毫米等級),並透過精密加工工具完成,確保各部件之間的完美結合。依據不同功能需求,結構件分別採用高強度工程塑料或碳纖維材質,兼顧剛性、重量與穩定性。
對平面磁性技術的全新定義與極致實現

這是一款毫不妥協的開放式耳機——設計過程完全不以成本為考量,唯一目標,就是達到最接近「完美」的音樂重播。整體單體結構極為精密,所有零件與模組皆以最高標準公差製造,並透過精密工具加工完成。
在材料選用上,耳機大量採用整塊鋁材 CNC 切削製成,確保結構剛性與穩定性。振膜、磁鐵與聲學導流結構之間的精密配置,進一步優化聲場線性與擴散特性,使聲音呈現更加自然且無染。Solitaire P 的聲音哲學非常直接——不增不減,不修飾、不渲染。對 T+A 而言,「忠實重現」始終是所有產品設計的第一原則。
多數平面磁性耳機在設計上往往面臨幾個先天限制,包括效率偏低、重量較高,以及阻抗過低等問題。在 Solitaire P 的開發之初,T+A 即明確設定目標:徹底突破這些限制。
為此,我們採取全新的設計思維,並投入大量資源於結構研發與材料選擇。整體耳機由多個高精度模組組成,每一個零件皆以極小公差製造(精度達百分之一毫米等級),並透過精密加工工具完成,確保各部件之間的完美結合。依據不同功能需求,結構件分別採用高強度工程塑料或碳纖維材質,兼顧剛性、重量與穩定性。

Solitaire P 採用開放式結構設計,有效避免封閉式耳機常見的箱體共振問題,使振膜能在無阻礙的狀態下自由運動。所有核心模組皆固定於實心鋁製耳罩之上,並透過五軸 CNC 精密切削加工而成。每一個耳罩均由厚達 35mm 的鋁塊製作,單一加工時間超過一小時。
包括頭帶支架與連接結構,同樣採用整塊鋁材切削製成。儘管製造難度極高,T+A 仍堅持使用鋁材,原因在於其具備極佳的長期穩定性,不會因時間而變形或劣化。

Solitaire P 的核心,來自 T+A 自行開發的 TPM 3100 平面磁性單體。該單體與整體耳機一樣,完全於德國 Herford 原廠設計與製造。其高性能釹磁鐵採用精密計算的分段結構,並依照橢圓形振膜外形調整長度配置,使磁力線分布達到完全均勻。
同時有效避免氣流亂流產生,確保空氣流動始終維持層流狀態。透過精密設計的固定環與磁鐵結構,振膜能始終維持在磁場最線性的區域中運作,使其在輸出高聲壓的同時,仍能維持極低失真與極寬動態範圍,幾乎沒有慣性限制。
此外,此設計不需額外對向磁鐵結構,進一步降低整體重量。振膜朝耳墊方向完全開放,聲音傳遞路徑無任何聲學阻礙。其本體由極薄高科技薄膜製成,並搭載精密計算的導體網格,整體阻抗約為 80 Ohms。

耳墊與頭墊皆由德國專業工廠手工製作,採用低過敏性合成皮革與 Alcántara 材質。即使長時間配戴,仍能維持極佳的舒適性與親膚觸感。

對 T+A 而言,線材不只是配件,而是聲音系統的一部分。Solitaire P 採用對稱結構線材設計,具備極低電感與電容特性,並針對阻抗進行最佳化設計。導體採用高純度 OFC 無氧銅,表面鍍銀處理,四條訊號導體嵌入棉質纖維中,並由鍍銀編織屏蔽層完整包覆。
耳機端採用軍規等級雙極連接器,確保穩定與耐用性。整條線材包含接頭與分線器,皆於單一製程中完成包覆成型,兼具高度耐用與柔軟性。絕緣材料採用 Hytrel® 與 TPE 高級彈性體,不含 PVC 與乳膠。
Solitaire P 隨附兩組線材:
後者具備更優異的傳輸效率與更低阻抗表現,能充分發揮耳機極致聲音潛力。所有接點均採用鍍金處理,確保長期穩定傳輸。

| 技術規格 | Solitaire P Headphones |
|---|---|
| 發聲原理 | 平面磁性(Planar-Magnetostatic) |
| 阻抗 | 80 Ω |
| 頻率響應 | 5 Hz – 54 kHz |
| 總諧波失真 | < 0.015 %(@ 100 dB) |
| 最大音壓 | > 130 dB |
| 振膜尺寸 | 橢圓形 110 × 80 mm |
| 結構形式 | 開放式、全罩式(Over-Ear) |
| 連接方式 | 有線傳輸(3m) Version 1: ・6.3 mm 單端端子 ・4.4 mm Pentaconn 平衡端子 Version 2: ・6.3 mm 單端端子 ・4-pin XLR 平衡端子 |
| 材質 | 鋁合金、鋼材、低致敏合成皮革、Alcantara |
| 重量 | 530 g(不含線材) |
| 備註 | 原廠保留技術規格變更之權利 |